FQH90N15 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQH90N15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 760 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO-247

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FQH90N15 datasheet

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FQH90N15

October 2006 QFET FQH90N15 / FQA90N15 N-Channel Power MOSFET Features Description 90A, 150V, RDS(on) = 0.018 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge (typical 220 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss (typical 200 pF) This advanced technology has been especiall

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FQH90N15

October 2006 QFET FQH90N15 / FQA90N15 N-Channel Power MOSFET Features Description 90A, 150V, RDS(on) = 0.018 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge (typical 220 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss (typical 200 pF) This advanced technology has been especiall

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