FQH90N15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQH90N15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 760 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для FQH90N15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQH90N15 даташит

 ..1. Size:1091K  fairchild semi
 fqa90n15 fqh90n15.pdf pdf_icon

FQH90N15

October 2006 QFET FQH90N15 / FQA90N15 N-Channel Power MOSFET Features Description 90A, 150V, RDS(on) = 0.018 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge (typical 220 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss (typical 200 pF) This advanced technology has been especiall

 ..2. Size:1057K  fairchild semi
 fqh90n15.pdf pdf_icon

FQH90N15

October 2006 QFET FQH90N15 / FQA90N15 N-Channel Power MOSFET Features Description 90A, 150V, RDS(on) = 0.018 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge (typical 220 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss (typical 200 pF) This advanced technology has been especiall

Другие IGBT... FQD8P10TM, FQD9N25TF, FQD9N25TM, FQE10N20CTU, FQH140N10, FQH18N50V2, FQH44N10F133, FQH70N10, IRF3205, FQI10N20CTU, FQI10N60CTU, FQI11N40TU, FQI11P06TU, FQI12N50TU, FQI12N60CTU, FQI12N60TU, FQI13N06LTU