FQI11N40TU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQI11N40TU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm

Encapsulados: I2-PAK

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FQI11N40TU datasheet

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FQI11N40TU

November 2001 FQB11N40 / FQI11N40 400V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 11.4A, 400V, RDS(on) = 0.48 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 27 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF) This advanced technology has been especially tai

 9.1. Size:971K  fairchild semi
 fqb11p06tm fqb11p06 fqi11p06 fqi11p06tu.pdf pdf_icon

FQI11N40TU

October 2008 QFET FQB11P06 / FQI11P06 60V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -11.4A, -60V, RDS(on) = 0.175 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 13 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF) This advanced technology has been espec

Otros transistores... FQE10N20CTU, FQH140N10, FQH18N50V2, FQH44N10F133, FQH70N10, FQH90N15, FQI10N20CTU, FQI10N60CTU, 20N60, FQI11P06TU, FQI12N50TU, FQI12N60CTU, FQI12N60TU, FQI13N06LTU, FQI13N06TU, FQI13N50CTU, FQI15P12TU