FQI11N40TU - аналоги и даташиты транзистора

 

FQI11N40TU - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FQI11N40TU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: I2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQI11N40TU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI11N40TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:565K  fairchild semi
 fqb11n40tm fqi11n40tu.pdf pdf_icon

FQI11N40TU

November 2001FQB11N40 / FQI11N40400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 11.4A, 400V, RDS(on) = 0.48 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 27 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tai

 9.1. Size:971K  fairchild semi
 fqb11p06tm fqb11p06 fqi11p06 fqi11p06tu.pdf pdf_icon

FQI11N40TU

October 2008QFETFQB11P06 / FQI11P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -11.4A, -60V, RDS(on) = 0.175 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 13 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF)This advanced technology has been espec

Другие MOSFET... FQE10N20CTU , FQH140N10 , FQH18N50V2 , FQH44N10F133 , FQH70N10 , FQH90N15 , FQI10N20CTU , FQI10N60CTU , IRF840 , FQI11P06TU , FQI12N50TU , FQI12N60CTU , FQI12N60TU , FQI13N06LTU , FQI13N06TU , FQI13N50CTU , FQI15P12TU .

History: APT5040CNR | BUK7E2R3-40C | APT6045CVR | FQH140N10 | RJK1028DSP | BUK7E4R3-75C | OSG55R190FF

 

 
Back to Top

 


 
.