FQI11P06TU Todos los transistores

 

FQI11P06TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQI11P06TU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 53 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2-PAK

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FQI11P06TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:971K  fairchild semi
fqb11p06tm fqb11p06 fqi11p06 fqi11p06tu.pdf

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October 2008QFETFQB11P06 / FQI11P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -11.4A, -60V, RDS(on) = 0.175 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 13 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF)This advanced technology has been espec

 9.1. Size:565K  fairchild semi
fqb11n40tm fqi11n40tu.pdf

FQI11P06TU FQI11P06TU

November 2001FQB11N40 / FQI11N40400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 11.4A, 400V, RDS(on) = 0.48 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 27 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tai

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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