FQI11P06TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQI11P06TU
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 53 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
Paquete / Cubierta: I2-PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQI11P06TU
FQI11P06TU Datasheet (PDF)
fqb11p06tm fqb11p06 fqi11p06 fqi11p06tu.pdf
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fqb11n40tm fqi11n40tu.pdf
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Liste
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