FQI11P06TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQI11P06TU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 53 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 11.4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 13 nC
   Tiempo de subida (tr): 40 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 195 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.175 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2-PAK

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FQI11P06TU Datasheet (PDF)

..1. Size:971K fairchild semi
fqb11p06tm fqb11p06 fqi11p06 fqi11p06tu.pdf

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9.1. Size:565K fairchild semi
fqb11n40tm fqi11n40tu.pdf

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Liste

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