FQI11P06TU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQI11P06TU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm

Тип корпуса: I2-PAK

Аналог (замена) для FQI11P06TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI11P06TU даташит

 ..1. Size:971K  fairchild semi
 fqb11p06tm fqb11p06 fqi11p06 fqi11p06tu.pdf pdf_icon

FQI11P06TU

October 2008 QFET FQB11P06 / FQI11P06 60V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -11.4A, -60V, RDS(on) = 0.175 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 13 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF) This advanced technology has been espec

 9.1. Size:565K  fairchild semi
 fqb11n40tm fqi11n40tu.pdf pdf_icon

FQI11P06TU

November 2001 FQB11N40 / FQI11N40 400V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 11.4A, 400V, RDS(on) = 0.48 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 27 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF) This advanced technology has been especially tai

Другие IGBT... FQH140N10, FQH18N50V2, FQH44N10F133, FQH70N10, FQH90N15, FQI10N20CTU, FQI10N60CTU, FQI11N40TU, IRF540N, FQI12N50TU, FQI12N60CTU, FQI12N60TU, FQI13N06LTU, FQI13N06TU, FQI13N50CTU, FQI15P12TU, FQI16N25CTU