Справочник MOSFET. FQI11P06TU

 

FQI11P06TU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQI11P06TU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm
   Тип корпуса: I2-PAK

 Аналог (замена) для FQI11P06TU

 

 

FQI11P06TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:971K  fairchild semi
 fqb11p06tm fqb11p06 fqi11p06 fqi11p06tu.pdf

FQI11P06TU FQI11P06TU

October 2008QFETFQB11P06 / FQI11P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -11.4A, -60V, RDS(on) = 0.175 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 13 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF)This advanced technology has been espec

 9.1. Size:565K  fairchild semi
 fqb11n40tm fqi11n40tu.pdf

FQI11P06TU FQI11P06TU

November 2001FQB11N40 / FQI11N40400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 11.4A, 400V, RDS(on) = 0.48 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 27 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tai

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TPS1120Y | STU09N25

 

 

Back to Top