FQI15P12TU Todos los transistores

 

FQI15P12TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQI15P12TU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 120 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 29 nC

Tiempo de elevación (tr): 100 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 310 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: I2-PAK

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FQI15P12TU Datasheet (PDF)

1.1. fqi15p12tu.pdf Size:650K _fairchild_semi

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® QFET FQB15P12 / FQI15P12 120V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect • -15A, -120V, RDS(on) = 0.2Ω @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 29 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 110 pF) This advanced technology has been especially tailore

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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