FQI15P12TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQI15P12TU
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 29 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: I2-PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQI15P12TU
FQI15P12TU Datasheet (PDF)
fqb15p12tm fqi15p12tu.pdf
QFETFQB15P12 / FQI15P12120V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -15A, -120V, RDS(on) = 0.2 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 110 pF)This advanced technology has been especially tailore
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Liste
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