Справочник MOSFET. FQI15P12TU

 

FQI15P12TU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQI15P12TU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: I2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQI15P12TU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI15P12TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:650K  fairchild semi
 fqb15p12tm fqi15p12tu.pdf pdf_icon

FQI15P12TU

QFETFQB15P12 / FQI15P12120V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -15A, -120V, RDS(on) = 0.2 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 110 pF)This advanced technology has been especially tailore

Другие MOSFET... FQI11N40TU , FQI11P06TU , FQI12N50TU , FQI12N60CTU , FQI12N60TU , FQI13N06LTU , FQI13N06TU , FQI13N50CTU , IRFP260N , FQI16N25CTU , FQI17N08LTU , FQI17N08TU , FQI17P06TU , FQI19N20CTU , FQI19N20TU , FQI1P50TU , FQI27N25TU .

History: ZXM64N035L3 | IRF7478PBF-1 | FDS6680S | STN4260 | HMS60N10D | PK5G6EA

 

 
Back to Top

 


 
.