FQI15P12TU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQI15P12TU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: I2-PAK

Аналог (замена) для FQI15P12TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI15P12TU даташит

 ..1. Size:650K  fairchild semi
 fqb15p12tm fqi15p12tu.pdf pdf_icon

FQI15P12TU

QFET FQB15P12 / FQI15P12 120V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -15A, -120V, RDS(on) = 0.2 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 110 pF) This advanced technology has been especially tailore

Другие IGBT... FQI11N40TU, FQI11P06TU, FQI12N50TU, FQI12N60CTU, FQI12N60TU, FQI13N06LTU, FQI13N06TU, FQI13N50CTU, IRLZ44N, FQI16N25CTU, FQI17N08LTU, FQI17N08TU, FQI17P06TU, FQI19N20CTU, FQI19N20TU, FQI1P50TU, FQI27N25TU