FQI16N25CTU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQI16N25CTU
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 139 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 15.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 41 nC
Tiempo de elevación (tr): 130 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 170 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.27 Ohm
Empaquetado / Estuche: I2-PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQI16N25CTU
FQI16N25CTU Datasheet (PDF)
1.1. fqi16n25ctu.pdf 
Size:761K _fairchild_semi
June 2006 ® QFET FQB16N25C/FQI16N25C 250V N-Channel MOSFET Features Description • 15.6A, 250V, RDS(on) = 0.27 Ω @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar • Low gate charge ( typical 41nC) stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to • Low Crss ( typica
Otros transistores... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .
