FQI16N25CTU Todos los transistores

 

FQI16N25CTU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQI16N25CTU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2-PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de FQI16N25CTU MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FQI16N25CTU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:761K  fairchild semi
 fqb16n25ctm fqi16n25ctu.pdf pdf_icon

FQI16N25CTU

June 2006 QFETFQB16N25C/FQI16N25C250V N-Channel MOSFETFeatures Description 15.6A, 250V, RDS(on) = 0.27 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 41nC)stripe, DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low Crss ( typica

Otros transistores... FQI11P06TU , FQI12N50TU , FQI12N60CTU , FQI12N60TU , FQI13N06LTU , FQI13N06TU , FQI13N50CTU , FQI15P12TU , IRF640N , FQI17N08LTU , FQI17N08TU , FQI17P06TU , FQI19N20CTU , FQI19N20TU , FQI1P50TU , FQI27N25TU , FQI27P06TU .

History: AM90N20-78B | JCS6N70S | KHB4D0N65F2 | SSW60R105SFD2 | VS3522AE | 2SJ240 | FTS2057

 

 
Back to Top

 


 
.