FQI16N25CTU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQI16N25CTU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 139 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 15.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 41 nC

Tiempo de elevación (tr): 130 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 170 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.27 Ohm

Empaquetado / Estuche: I2-PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQI16N25CTU

FQI16N25CTU Datasheet (PDF)

1.1. fqi16n25ctu.pdf Size:761K _fairchild_semi

June 2006 ® QFET FQB16N25C/FQI16N25C 250V N-Channel MOSFET Features Description • 15.6A, 250V, RDS(on) = 0.27 Ω @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar • Low gate charge ( typical 41nC) stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to • Low Crss ( typica

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: