FQI16N25CTU Todos los transistores

 

FQI16N25CTU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQI16N25CTU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 139 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 15.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 41 nC

Tiempo de elevación (tr): 130 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 170 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.27 Ohm

Empaquetado / Estuche: I2-PAK

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FQI16N25CTU Datasheet (PDF)

1.1. fqi16n25ctu.pdf Size:761K _fairchild_semi

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June 2006 ® QFET FQB16N25C/FQI16N25C 250V N-Channel MOSFET Features Description • 15.6A, 250V, RDS(on) = 0.27 Ω @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar • Low gate charge ( typical 41nC) stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to • Low Crss ( typica

Otros transistores... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .

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