FQI16N25CTU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQI16N25CTU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 41 nC
Время нарастания (tr): 130 ns
Выходная емкость (Cd): 170 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.27 Ohm
Тип корпуса: I2-PAK
Аналог (замена) для FQI16N25CTU
FQI16N25CTU Datasheet (PDF)
..1. Size:761K fairchild semi
fqb16n25ctm fqi16n25ctu.pdf
fqb16n25ctm fqi16n25ctu.pdf
June 2006 QFETFQB16N25C/FQI16N25C250V N-Channel MOSFETFeatures Description 15.6A, 250V, RDS(on) = 0.27 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 41nC)stripe, DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low Crss ( typica
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
