Справочник MOSFET. FQI16N25CTU

 

FQI16N25CTU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQI16N25CTU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: I2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQI16N25CTU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI16N25CTU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:761K  fairchild semi
 fqb16n25ctm fqi16n25ctu.pdf pdf_icon

FQI16N25CTU

June 2006 QFETFQB16N25C/FQI16N25C250V N-Channel MOSFETFeatures Description 15.6A, 250V, RDS(on) = 0.27 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 41nC)stripe, DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low Crss ( typica

Другие MOSFET... FQI11P06TU , FQI12N50TU , FQI12N60CTU , FQI12N60TU , FQI13N06LTU , FQI13N06TU , FQI13N50CTU , FQI15P12TU , IRF640N , FQI17N08LTU , FQI17N08TU , FQI17P06TU , FQI19N20CTU , FQI19N20TU , FQI1P50TU , FQI27N25TU , FQI27P06TU .

History: AFN5908W | HGN028NE6AL | SI7491DP | STF13N60M2 | SIHFD014 | CS7456

 

 
Back to Top

 


 
.