FQI47P06TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQI47P06TU
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 450 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: I2-PAK
Búsqueda de reemplazo de FQI47P06TU MOSFET
FQI47P06TU Datasheet (PDF)
fqb47p06tm am002 fqi47p06tu.pdf
October 2008QFETFQB47P06 / FQI47P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -47A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF)This advanced technology has been especi
fqb47p06 fqi47p06.pdf
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History: HTD060N03 | QM3009K | NCE65N460K | CED4204 | DMG9N65CT | AP60T03AS | NTLUS4C12N
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Liste
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