FQI47P06TU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQI47P06TU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 450 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: I2-PAK

 Búsqueda de reemplazo de FQI47P06TU MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FQI47P06TU datasheet

 ..1. Size:1192K  fairchild semi
 fqb47p06tm am002 fqi47p06tu.pdf pdf_icon

FQI47P06TU

October 2008 QFET FQB47P06 / FQI47P06 60V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -47A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF) This advanced technology has been especi

 6.1. Size:1207K  fairchild semi
 fqb47p06 fqi47p06.pdf pdf_icon

FQI47P06TU

October 2008 QFET FQB47P06 / FQI47P06 60V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -47A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF) This advanced technology has been especi

Otros transistores... FQI2P25TU, FQI34P10TU, FQI3N25TU, FQI3N30TU, FQI3N40TU, FQI3N90TU, FQI3P20TU, FQI3P50TU, IRF9540N, FQI4N20TU, FQI4N25TU, FQI4N90TU, FQI4P40TU, FQI50N06LTU, FQI50N06TU, FQI5N15TU, FQI5N20LTU