FQI47P06TU Todos los transistores

 

FQI47P06TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQI47P06TU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 160 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V

Corriente continua de drenaje (Id): 47 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 84 nC

Tiempo de elevación (tr): 450 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1300 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.026 Ohm

Empaquetado / Estuche: I2-PAK

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FQI47P06TU Datasheet (PDF)

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October 2008 QFET® FQB47P06 / FQI47P06 60V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect • -47A, -60V, RDS(on) = 0.026Ω @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 84 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 320 pF) This advanced technology has been especi

2.1. fqb47p06 fqi47p06.pdf Size:1207K _fairchild_semi

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October 2008 QFET FQB47P06 / FQI47P06 60V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -47A, -60V, RDS(on) = 0.026? @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF) This advanced technology has been especially tailored

 

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