FQI47P06TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQI47P06TU
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 160 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V
Corriente continua de drenaje (Id): 47 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 84 nC
Tiempo de elevación (tr): 450 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1300 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.026 Ohm
Empaquetado / Estuche: I2-PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQI47P06TU
FQI47P06TU Datasheet (PDF)
1.1. fqi47p06tu.pdf 
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2.1. fqb47p06 fqi47p06.pdf Size:1207K _fairchild_semi
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