Справочник MOSFET. FQI47P06TU

 

FQI47P06TU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQI47P06TU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 450 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: I2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQI47P06TU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI47P06TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1192K  fairchild semi
 fqb47p06tm am002 fqi47p06tu.pdf pdf_icon

FQI47P06TU

October 2008QFETFQB47P06 / FQI47P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -47A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF)This advanced technology has been especi

 6.1. Size:1207K  fairchild semi
 fqb47p06 fqi47p06.pdf pdf_icon

FQI47P06TU

October 2008QFETFQB47P06 / FQI47P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -47A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF)This advanced technology has been especi

Другие MOSFET... FQI2P25TU , FQI34P10TU , FQI3N25TU , FQI3N30TU , FQI3N40TU , FQI3N90TU , FQI3P20TU , FQI3P50TU , IRF1010E , FQI4N20TU , FQI4N25TU , FQI4N90TU , FQI4P40TU , FQI50N06LTU , FQI50N06TU , FQI5N15TU , FQI5N20LTU .

History: RJK2017DPP | BSC072N03LDG

 

 
Back to Top

 


 
.