FQI8P10TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQI8P10TU
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.53 Ohm
Paquete / Cubierta: I2-PAK
Búsqueda de reemplazo de FQI8P10TU MOSFET
FQI8P10TU Datasheet (PDF)
fqb8p10tm fqi8p10tu.pdf
TMQFETFQB8P10 / FQI8P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -8.0A, -100V, RDS(on) = 0.53 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been especially tailored
fqb8p10 fqi8p10.pdf
TMQFETFQB8P10 / FQI8P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -8.0A, -100V, RDS(on) = 0.53 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been especially tailored
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History: HUFA75639S3ST | NCE65NF190V | 7NM65G-TN3-R | NCE0157 | HM5N60 | DMP3018SFK | P2610ADG
History: HUFA75639S3ST | NCE65NF190V | 7NM65G-TN3-R | NCE0157 | HM5N60 | DMP3018SFK | P2610ADG
Liste
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