FQI8P10TU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQI8P10TU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.53 Ohm

Тип корпуса: I2-PAK

Аналог (замена) для FQI8P10TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI8P10TU даташит

 ..1. Size:665K  fairchild semi
 fqb8p10tm fqi8p10tu.pdf pdf_icon

FQI8P10TU

TM QFET FQB8P10 / FQI8P10 100V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -8.0A, -100V, RDS(on) = 0.53 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF) This advanced technology has been especially tailored

 7.1. Size:667K  fairchild semi
 fqb8p10 fqi8p10.pdf pdf_icon

FQI8P10TU

TM QFET FQB8P10 / FQI8P10 100V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -8.0A, -100V, RDS(on) = 0.53 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF) This advanced technology has been especially tailored

Другие IGBT... FQI6N40CTU, FQI6N50TU, FQI6N60CTU, FQI7N10LTU, FQI7N10TU, FQI7N60TU, FQI7N80TU, FQI8N60CTU, BS170, FQI9N08LTU, FQI9N08TU, FQI9N15TU, FQI9N25CTU, FQI9N50CTU, FQI9N50TU, FQL50N40, FQN1N50CBU