FQNL1N50BBU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQNL1N50BBU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm

Encapsulados: TO-92L

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FQNL1N50BBU datasheet

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FQNL1N50BBU

March 2001 TM QFET FQNL1N50B 500V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.27A, 500V, RDS(on) = 9.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 4.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.0 pF) This advanced technology has been especially tailo

 5.1. Size:620K  fairchild semi
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FQNL1N50BBU

March 2001 TM QFET FQNL1N50B 500V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.27A, 500V, RDS(on) = 9.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 4.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.0 pF) This advanced technology has been especially tailo

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