FQNL1N50BBU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQNL1N50BBU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm

Тип корпуса: TO-92L

Аналог (замена) для FQNL1N50BBU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQNL1N50BBU даташит

 ..1. Size:618K  fairchild semi
 fqnl1n50bbu fqnl1n50bta.pdf pdf_icon

FQNL1N50BBU

March 2001 TM QFET FQNL1N50B 500V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.27A, 500V, RDS(on) = 9.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 4.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.0 pF) This advanced technology has been especially tailo

 5.1. Size:620K  fairchild semi
 fqnl1n50b.pdf pdf_icon

FQNL1N50BBU

March 2001 TM QFET FQNL1N50B 500V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.27A, 500V, RDS(on) = 9.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 4.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.0 pF) This advanced technology has been especially tailo

Другие IGBT... FQI9N25CTU, FQI9N50CTU, FQI9N50TU, FQL50N40, FQN1N50CBU, FQN1N50CTA, FQN1N60CBU, FQN1N60CTA, IRF520, FQNL1N50BTA, FQNL2N50BBU, FQNL2N50BTA, FQP10N20, FQP10N20CTSTU, FQP10N60, FQP10N60CF, FQP11N40