FQP22P10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQP22P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: TO-220

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FQP22P10 datasheet

 ..1. Size:646K  fairchild semi
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FQP22P10

TM QFET FQP22P10 100V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -22A, -100V, RDS(on) = 0.125 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 40 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 160 pF) This advanced technology has been especially tailored to

 9.1. Size:757K  fairchild semi
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FQP22P10

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET 300V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 21A, 300V, RDS(on) = 0.16 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 47 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 40 pF) This advanced technology has been esp

 9.2. Size:1466K  onsemi
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FQP22P10

Otros transistores... FQP19N10, FQP19N10L, FQP19N20CTSTU, FQP19N20L, FQP1N50, FQP1N60, FQP1P50, FQP20N06TSTU, AO4407A, FQP27P06SW82127, FQP2N30, FQP2N50, FQP2N60, FQP2NA90, FQP2P25, FQP32N12V2, FQP33N10L