Справочник MOSFET. FQP22P10

 

FQP22P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQP22P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FQP22P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP22P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:646K  fairchild semi
 fqp22p10.pdf pdf_icon

FQP22P10

TMQFETFQP22P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -22A, -100V, RDS(on) = 0.125 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 40 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 160 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 9.1. Size:757K  fairchild semi
 fqp22n30.pdf pdf_icon

FQP22P10

May 2000TMQFETQFETQFETQFET 300V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 21A, 300V, RDS(on) = 0.16 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 47 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 40 pF)This advanced technology has been esp

 9.2. Size:1466K  onsemi
 fqp22n30.pdf pdf_icon

FQP22P10

Другие MOSFET... FQP19N10 , FQP19N10L , FQP19N20CTSTU , FQP19N20L , FQP1N50 , FQP1N60 , FQP1P50 , FQP20N06TSTU , AO3407 , FQP27P06SW82127 , FQP2N30 , FQP2N50 , FQP2N60 , FQP2NA90 , FQP2P25 , FQP32N12V2 , FQP33N10L .

History: CJ3139KDW | CEB6060N | FDS5170N7 | IXTQ96N15P

 

 
Back to Top

 


 
.