FQP27P06SW82127 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FQP27P06SW82127 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQP27P06SW82127

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 185 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: TO-220

Búsqueda de reemplazo de FQP27P06SW82127 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

FQP27P06SW82127 datasheet

6.1. Size:746K fairchild semi
fqp27p06.pdf pdf_icon

May 2001 TM QFET FQP27P06 60V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -27A, -60V, RDS(on) = 0.07 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 33 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF) This advanced technology has been especially tailored

6.2. Size:726K fairchild semi
fqp27p06 sw82127.pdf pdf_icon

6.3. Size:905K onsemi
fqp27p06.pdf pdf_icon

FQP27P06 P-Channel QFET MOSFET - 60 V, - 27 A, 70 m Features - 27 A, - 60 V, RDS(on) = 70 m (Max.) @ VGS = - 10 V, Description ID = - 13.5 A This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductor s proprietary Low Gate Charge (Typ. 33 nC) planar stripe and DMOS technology. This advanced Low Crss (Typ. 120 pF) MOSFET technology has been

Otros transistores... FQP19N10L, FQP19N20CTSTU, FQP19N20L, FQP1N50, FQP1N60, FQP1P50, FQP20N06TSTU, FQP22P10, 60N06, FQP2N30, FQP2N50, FQP2N60, FQP2NA90, FQP2P25, FQP32N12V2, FQP33N10L, FQP34N20L

FQP27P06SW82127 Todos los transistores