Справочник MOSFET. FQP27P06SW82127

 

FQP27P06SW82127 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQP27P06SW82127
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 185 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FQP27P06SW82127

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP27P06SW82127 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:746K  fairchild semi
 fqp27p06.pdf pdf_icon

FQP27P06SW82127

May 2001TMQFETFQP27P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -27A, -60V, RDS(on) = 0.07 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 33 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF)This advanced technology has been especially tailored

 6.2. Size:726K  fairchild semi
 fqp27p06 sw82127.pdf pdf_icon

FQP27P06SW82127

May 2001TMQFETFQP27P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -27A, -60V, RDS(on) = 0.07 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 33 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF)This advanced technology has been especially tailored

 6.3. Size:905K  onsemi
 fqp27p06.pdf pdf_icon

FQP27P06SW82127

FQP27P06P-Channel QFET MOSFET- 60 V, - 27 A, 70 mFeatures - 27 A, - 60 V, RDS(on) = 70 m (Max.) @ VGS = - 10 V,DescriptionID = - 13.5 AThis P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductors proprietary Low Gate Charge (Typ. 33 nC)planar stripe and DMOS technology. This advanced Low Crss (Typ. 120 pF)MOSFET technology has been

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQP19N10L , FQP19N20CTSTU , FQP19N20L , FQP1N50 , FQP1N60 , FQP1P50 , FQP20N06TSTU , FQP22P10 , AO4468 , FQP2N30 , FQP2N50 , FQP2N60 , FQP2NA90 , FQP2P25 , FQP32N12V2 , FQP33N10L , FQP34N20L .

History: IXTH75N10L2 | UF830L-TM3-T | AP2864I-A-HF | PH1330AL | 7N65G-TQ2-R | CHM6601JGP

 

 
Back to Top

 


 
.