FQP32N12V2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQP32N12V2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQP32N12V2

FQP32N12V2 Datasheet (PDF)

..1. Size:856K fairchild semi
fqp32n12v2 fqpf32n12v2.pdf

QFETFQP32N12V2/FQPF32N12V2120V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 32 A, 120V, RDS(on) = 0.05 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF)This advanced technology has been especially tailor

8.1. Size:1208K fairchild semi
fqp32n20c fqpf32n20c.pdf

QFETFQP32N20C/FQPF32N20C200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 28A, 200V, RDS(on) = 0.082 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 82.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 185 pF)This advanced technology has been especially tailo

8.2. Size:1184K onsemi
fqp32n20c fqpf32n20c.pdf

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: