Справочник MOSFET. FQP32N12V2

 

FQP32N12V2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQP32N12V2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 120 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 32 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 41 nC
   Время нарастания (tr): 190 ns
   Выходная емкость (Cd): 310 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для FQP32N12V2

 

 

FQP32N12V2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:856K  fairchild semi
fqp32n12v2 fqpf32n12v2.pdf

FQP32N12V2
FQP32N12V2

QFETFQP32N12V2/FQPF32N12V2120V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 32 A, 120V, RDS(on) = 0.05 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF)This advanced technology has been especially tailor

 8.1. Size:1208K  fairchild semi
fqp32n20c fqpf32n20c.pdf

FQP32N12V2
FQP32N12V2

QFETFQP32N20C/FQPF32N20C200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 28A, 200V, RDS(on) = 0.082 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 82.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 185 pF)This advanced technology has been especially tailo

 8.2. Size:1184K  onsemi
fqp32n20c fqpf32n20c.pdf

FQP32N12V2
FQP32N12V2

QFETFQP32N20C/FQPF32N20C200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 28A, 200V, RDS(on) = 0.082 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 82.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 185 pF)This advanced technology has been especially tailo

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top