FQP32N12V2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FQP32N12V2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FQP32N12V2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP32N12V2 даташит

 ..1. Size:856K  fairchild semi
 fqp32n12v2 fqpf32n12v2.pdf pdf_icon

FQP32N12V2

QFET FQP32N12V2/FQPF32N12V2 120V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 32 A, 120V, RDS(on) = 0.05 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF) This advanced technology has been especially tailor

 8.1. Size:1208K  fairchild semi
 fqp32n20c fqpf32n20c.pdf pdf_icon

FQP32N12V2

QFET FQP32N20C/FQPF32N20C 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 28A, 200V, RDS(on) = 0.082 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 82.5 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 185 pF) This advanced technology has been especially tailo

 8.2. Size:1184K  onsemi
 fqp32n20c fqpf32n20c.pdf pdf_icon

FQP32N12V2

QFET FQP32N20C/FQPF32N20C 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 28A, 200V, RDS(on) = 0.082 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 82.5 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 185 pF) This advanced technology has been especially tailo

Другие IGBT... FQP20N06TSTU, FQP22P10, FQP27P06SW82127, FQP2N30, FQP2N50, FQP2N60, FQP2NA90, FQP2P25, IRF840, FQP33N10L, FQP34N20L, FQP3N25, FQP3N40, FQP3N60, FQP3N80, FQP3N90, FQP44N08