FQP58N08 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQP58N08

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 146 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: TO-220

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FQP58N08 datasheet

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FQP58N08

December 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQP58N08 80V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 57.5A, 80V, RDS(on) = 0.024 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 50 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF) This advanced technology is esp

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