Справочник MOSFET. FQP58N08

 

FQP58N08 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQP58N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 146 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для FQP58N08

 

 

FQP58N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:618K  fairchild semi
 fqp58n08.pdf

FQP58N08 FQP58N08

December 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP58N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 57.5A, 80V, RDS(on) = 0.024 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 50 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF)This advanced technology is esp

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top