Справочник MOSFET. FQP58N08

 

FQP58N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQP58N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 146 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP58N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:618K  fairchild semi
 fqp58n08.pdf pdf_icon

FQP58N08

December 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP58N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 57.5A, 80V, RDS(on) = 0.024 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 50 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF)This advanced technology is esp

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FQPF12P20XDTU | FQP55N06 | FQP7N10 | FQP5N20

 

 
Back to Top

 


 
.