FQP58N08. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQP58N08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 146 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FQP58N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP58N08 даташит

 ..1. Size:618K  fairchild semi
 fqp58n08.pdf pdf_icon

FQP58N08

December 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQP58N08 80V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 57.5A, 80V, RDS(on) = 0.024 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 50 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF) This advanced technology is esp

Другие IGBT... FQP44N10F, FQP4N20, FQP4N25, FQP4N50, FQP4N60, FQP4N90, FQP4P25, FQP55N06, 10N60, FQP5N20, FQP5N20L, FQP5N30, FQP5N40, FQP5N50C, FQP5N80, FQP5N90, FQP5P10