FQP5P10 Todos los transistores

 

FQP5P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQP5P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

FQP5P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:644K  fairchild semi
 fqp5p10.pdf pdf_icon

FQP5P10

TMQFETFQP5P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -4.5A, -100V, RDS(on) = 1.05 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 9.1. Size:624K  fairchild semi
 fqp5p20.pdf pdf_icon

FQP5P10

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP5P20200V P-Channel MOSFETGeneral DescriptionThese P-Channel enhancement mode power field effectFeaturestransistors are produced using Fairchilds proprietary,planar stripe, DMOS technology. -4.8A, -200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = -10 VThis advanced technology has been especially tailored to Low gate charge ( typical 10 nC)minimi

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK1096-MR | P9515BD | IRFSL31N20DP | AP9563GK | HM4612 | OSG80R900FF | AOTF7N70

 

 
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