FQP5P10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQP5P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.05 Ohm

Encapsulados: TO-220

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FQP5P10 datasheet

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FQP5P10

TM QFET FQP5P10 100V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -4.5A, -100V, RDS(on) = 1.05 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF) This advanced technology has been especially tailored to

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FQP5P10

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQP5P20 200V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect Features transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology. -4.8A, -200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = -10 V This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge ( typical 10 nC) minimi

Otros transistores... FQP58N08, FQP5N20, FQP5N20L, FQP5N30, FQP5N40, FQP5N50C, FQP5N80, FQP5N90, IRF630, FQP5P20, FQP630TSTU, FQP6N15, FQP6N25, FQP6N50, FQP6N50C, FQP6N60, FQP6N80