Справочник MOSFET. FQP5P10

 

FQP5P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQP5P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FQP5P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP5P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:644K  fairchild semi
 fqp5p10.pdf pdf_icon

FQP5P10

TMQFETFQP5P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -4.5A, -100V, RDS(on) = 1.05 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 9.1. Size:624K  fairchild semi
 fqp5p20.pdf pdf_icon

FQP5P10

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP5P20200V P-Channel MOSFETGeneral DescriptionThese P-Channel enhancement mode power field effectFeaturestransistors are produced using Fairchilds proprietary,planar stripe, DMOS technology. -4.8A, -200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = -10 VThis advanced technology has been especially tailored to Low gate charge ( typical 10 nC)minimi

Другие MOSFET... FQP58N08 , FQP5N20 , FQP5N20L , FQP5N30 , FQP5N40 , FQP5N50C , FQP5N80 , FQP5N90 , 7N65 , FQP5P20 , FQP630TSTU , FQP6N15 , FQP6N25 , FQP6N50 , FQP6N50C , FQP6N60 , FQP6N80 .

History: TSM4N60CH

 

 
Back to Top

 


 
.