FQP5P10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQP5P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FQP5P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP5P10 даташит

 ..1. Size:644K  fairchild semi
 fqp5p10.pdf pdf_icon

FQP5P10

TM QFET FQP5P10 100V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -4.5A, -100V, RDS(on) = 1.05 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF) This advanced technology has been especially tailored to

 9.1. Size:624K  fairchild semi
 fqp5p20.pdf pdf_icon

FQP5P10

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQP5P20 200V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect Features transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology. -4.8A, -200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = -10 V This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge ( typical 10 nC) minimi

Другие IGBT... FQP58N08, FQP5N20, FQP5N20L, FQP5N30, FQP5N40, FQP5N50C, FQP5N80, FQP5N90, IRF630, FQP5P20, FQP630TSTU, FQP6N15, FQP6N25, FQP6N50, FQP6N50C, FQP6N60, FQP6N80