FQP630TSTU Todos los transistores

 

FQP630TSTU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQP630TSTU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de FQP630TSTU MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FQP630TSTU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:733K  fairchild semi
 fqp630tstu.pdf pdf_icon

FQP630TSTU

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 9A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF)This advanced technology has been espec

 8.1. Size:705K  fairchild semi
 fqp630.pdf pdf_icon

FQP630TSTU

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 9A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF)This advanced technology has been espec

Otros transistores... FQP5N20L , FQP5N30 , FQP5N40 , FQP5N50C , FQP5N80 , FQP5N90 , FQP5P10 , FQP5P20 , 2N7000 , FQP6N15 , FQP6N25 , FQP6N50 , FQP6N50C , FQP6N60 , FQP6N80 , IRF40B207 , IRF40H210 .

History: VBE2309

 

 
Back to Top

 


 
.