FQP630TSTU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQP630TSTU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FQP630TSTU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP630TSTU даташит

 ..1. Size:733K  fairchild semi
 fqp630tstu.pdf pdf_icon

FQP630TSTU

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 200V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 9A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF) This advanced technology has been espec

 8.1. Size:705K  fairchild semi
 fqp630.pdf pdf_icon

FQP630TSTU

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 200V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 9A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF) This advanced technology has been espec

Другие IGBT... FQP5N20L, FQP5N30, FQP5N40, FQP5N50C, FQP5N80, FQP5N90, FQP5P10, FQP5P20, AON7408, FQP6N15, FQP6N25, FQP6N50, FQP6N50C, FQP6N60, FQP6N80, IRF40B207, IRF40H210