IRF4104SPBF Todos los transistores

 

IRF4104SPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF4104SPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 68 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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IRF4104SPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:376K  international rectifier
 irf4104lpbf irf4104pbf irf4104spbf.pdf pdf_icon

IRF4104SPBF

PD - 95468AIRF4104PbFIRF4104SPbFIRF4104LPbFFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating TemperatureVDSS = 40V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 5.5m Lead-FreeGDescriptionID = 75A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestSprocessing techniques to achieve extremely

 ..2. Size:376K  international rectifier
 irf4104pbf irf4104spbf irf4104lpbf.pdf pdf_icon

IRF4104SPBF

PD - 95468AIRF4104PbFIRF4104SPbFIRF4104LPbFFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating TemperatureVDSS = 40V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 5.5m Lead-FreeGDescriptionID = 75A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestSprocessing techniques to achieve extremely

 6.1. Size:349K  international rectifier
 auirf4104strl.pdf pdf_icon

IRF4104SPBF

PD - 97471AAUTOMOTIVE GRADEAUIRF4104AUIRF4104SFeatures Low On-ResistanceHEXFET Power MOSFET Dynamic dV/dT Rating 175C Operating TemperatureD V(BR)DSS40V Fast SwitchingRDS(on) typ.4.3m Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max. 5.5mG Lead-Free, RoHS CompliantID (Silicon Limited)120A Automotive Qualified *SID (Package Li

 6.2. Size:703K  infineon
 auirf4104 auirf4104s.pdf pdf_icon

IRF4104SPBF

AUIRF4104 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF4104S Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 4.3m 175C Operating Temperature Fast Switching max. 5.5m Fully Avalanche Rated ID (Silicon Limited) 120A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A L

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