IRF4104SPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF4104SPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 68 nC
trⓘ - Время нарастания: 130 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IRF4104SPBF
IRF4104SPBF Datasheet (PDF)
irf4104lpbf irf4104pbf irf4104spbf.pdf
PD - 95468AIRF4104PbFIRF4104SPbFIRF4104LPbFFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating TemperatureVDSS = 40V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 5.5m Lead-FreeGDescriptionID = 75A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestSprocessing techniques to achieve extremely
irf4104pbf irf4104spbf irf4104lpbf.pdf
PD - 95468AIRF4104PbFIRF4104SPbFIRF4104LPbFFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating TemperatureVDSS = 40V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 5.5m Lead-FreeGDescriptionID = 75A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestSprocessing techniques to achieve extremely
auirf4104strl.pdf
PD - 97471AAUTOMOTIVE GRADEAUIRF4104AUIRF4104SFeatures Low On-ResistanceHEXFET Power MOSFET Dynamic dV/dT Rating 175C Operating TemperatureD V(BR)DSS40V Fast SwitchingRDS(on) typ.4.3m Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max. 5.5mG Lead-Free, RoHS CompliantID (Silicon Limited)120A Automotive Qualified *SID (Package Li
auirf4104 auirf4104s.pdf
AUIRF4104 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF4104S Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 4.3m 175C Operating Temperature Fast Switching max. 5.5m Fully Avalanche Rated ID (Silicon Limited) 120A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A L
irf4104s.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF4104SFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F