IRF4104SPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF4104SPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IRF4104SPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF4104SPBF даташит

 ..1. Size:376K  international rectifier
 irf4104lpbf irf4104pbf irf4104spbf.pdf pdf_icon

IRF4104SPBF

PD - 95468A IRF4104PbF IRF4104SPbF IRF4104LPbF Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D 175 C Operating Temperature VDSS = 40V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 5.5m Lead-Free G Description ID = 75A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest S processing techniques to achieve extremely

 ..2. Size:376K  international rectifier
 irf4104pbf irf4104spbf irf4104lpbf.pdf pdf_icon

IRF4104SPBF

PD - 95468A IRF4104PbF IRF4104SPbF IRF4104LPbF Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D 175 C Operating Temperature VDSS = 40V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 5.5m Lead-Free G Description ID = 75A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest S processing techniques to achieve extremely

 6.1. Size:349K  international rectifier
 auirf4104strl.pdf pdf_icon

IRF4104SPBF

PD - 97471A AUTOMOTIVE GRADE AUIRF4104 AUIRF4104S Features Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET Dynamic dV/dT Rating 175 C Operating Temperature D V(BR)DSS 40V Fast Switching RDS(on) typ. 4.3m Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max. 5.5m G Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 120A Automotive Qualified * S ID (Package Li

 6.2. Size:703K  infineon
 auirf4104 auirf4104s.pdf pdf_icon

IRF4104SPBF

AUIRF4104 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF4104S Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 4.3m 175 C Operating Temperature Fast Switching max. 5.5m Fully Avalanche Rated ID (Silicon Limited) 120A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQP6N60, FQP6N80, IRF40B207, IRF40H210, IRF40R207, IRF4104L, IRF4104LPBF, IRF4104PBF, K4145, IRF4905LPBF, IRF4905PBF, IRF4905SPBF, IRF520NL, IRF520NLPBF, IRF520NPBF, IRF520S, IRF520SPBF