IRF530NSPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF530NSPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 37 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF530NSPBF

IRF530NSPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:279K international rectifier
irf530nspbf.pdf

PD - 95100IRF530NSPbFIRF530NLPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDVDSS = 100Vl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 90mGl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = 17Al Lead-Free SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achi

..2. Size:279K infineon
irf530nspbf irf530nlpbf.pdf

6.1. Size:178K international rectifier
irf530ns.pdf

PD - 91352AIRF530NS/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology DVDSS =100V Surface Mount (IRF530NS) Low-profile through-hole (IRF530NL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.11G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 17ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low o

6.2. Size:854K cn vbsemi
irf530ns.pdf

IRF530NSwww.VBsemi.twwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.100 at VGS = 10 V10020COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersDD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFET

6.3. Size:258K inchange semiconductor
irf530ns.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF530NSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

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Liste

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