IRF530NSPBF - аналоги и даташиты транзистора

 

IRF530NSPBF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF530NSPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IRF530NSPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF530NSPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  international rectifier
 irf530nspbf irf530nlpbf.pdf pdf_icon

IRF530NSPBF

PD - 95100IRF530NSPbFIRF530NLPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDVDSS = 100Vl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 90mGl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = 17Al Lead-Free SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achi

 ..2. Size:279K  international rectifier
 irf530nspbf.pdf pdf_icon

IRF530NSPBF

PD - 95100IRF530NSPbFIRF530NLPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDVDSS = 100Vl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 90mGl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = 17Al Lead-Free SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achi

 6.1. Size:178K  international rectifier
 irf530ns.pdf pdf_icon

IRF530NSPBF

PD - 91352AIRF530NS/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology DVDSS =100V Surface Mount (IRF530NS) Low-profile through-hole (IRF530NL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.11G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 17ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low o

 6.2. Size:854K  cn vbsemi
 irf530ns.pdf pdf_icon

IRF530NSPBF

IRF530NSwww.VBsemi.twwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.100 at VGS = 10 V10020COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersDD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF520SPBF , IRF5210LPBF , IRF5210PBF , IRF5210SPBF , IRF5305LPBF , IRF5305PBF , IRF5305SPBF , IRF530NPBF , BS170 , IRF530S , IRF540NLPBF , IRF540NPBF , IRF540NSPBF , IRF540S , IRF540SPBF , IRF540ZLPBF , IRF540ZPBF .

History: IRF5803D2PBF | FS30KMJ-06F | VBZMB18N65

 

 
Back to Top

 


 
.