IRF5803D2PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF5803D2PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 550 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.112 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF5803D2PBF

IRF5803D2PBF Datasheet (PDF)

..1. Size:143K international rectifier
irf5803d2pbf.pdf

PD- 95160AIRF5803D2PbFTMFETKY MOSFET & Schottky Diodel Co-packaged HEXFET PowerMOSFET and Schottky Diode1 8A Kl Ideal For Buck Regulator ApplicationsVDSS = -40V2 7A Kl P-Channel HEXFETl Low VF Schottky Rectifier3 6RDS(on) = 112mS Dl SO-8 Footprint45G Dl Lead-Free Schottky Vf = 0.51VTop ViewDescriptionThe FETKYTM family of Co-packaged HEXF

5.1. Size:127K international rectifier
irf5803d2.pdf

PD- 94016IRF5803D2TMFETKY MOSFET & Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power1 8A KMOSFET and Schottky DiodeVDSS = -40V2 7 Ideal For Buck Regulator Applications A K P-Channel HEXFET3 6RDS(on) = 112mS D Low VF Schottky Rectifier45G D SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.51VTop ViewDescriptionThe FETKYTM family of Co-packaged HEXFETs andSchottky

7.1. Size:109K international rectifier
irf5803.pdf

PD-94015IRF5803HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance)VDSS RDS(on) max (m) ID))) P-Channel MOSFET-40V 112@VGS = -10V -3.4A Surface Mount 190@VGS = -4.5V -2.7A Available in Tape & Reel Low Gate ChargeDescriptionThese P-channel HEXFET Power MOSFETs from A1 6D DInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve t

7.2. Size:296K infineon
irf5803pbf.pdf

IRF5803PbF HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET VDSS RDS(on) (max) ID Surface Mount 112m@ VGS = -10V -3.4A Available in Tape & Reel - 40V Low Gate Charge 190m@ VGS = -4.5V -2.7A Lead-Free Halogen-Free A1 6D DDescription These P-channel HEXFET Power MOSFETs from International 25DDR

7.3. Size:1845K cn vbsemi
irf5803trpbf.pdf

IRF5803TRPBFwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET- 30 5.1 nC0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop V iew1 6(3) G3 mm523 4(1, 2, 5, 6) D2.85 mm

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: