IRF5803D2PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRF5803D2PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 550 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.112 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF5803D2PBF
IRF5803D2PBF Datasheet (PDF)
irf5803d2pbf.pdf

PD- 95160AIRF5803D2PbFTMFETKY MOSFET & Schottky Diodel Co-packaged HEXFET PowerMOSFET and Schottky Diode1 8A Kl Ideal For Buck Regulator ApplicationsVDSS = -40V2 7A Kl P-Channel HEXFETl Low VF Schottky Rectifier3 6RDS(on) = 112mS Dl SO-8 Footprint45G Dl Lead-Free Schottky Vf = 0.51VTop ViewDescriptionThe FETKYTM family of Co-packaged HEXF
irf5803d2.pdf

PD- 94016IRF5803D2TMFETKY MOSFET & Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power1 8A KMOSFET and Schottky DiodeVDSS = -40V2 7 Ideal For Buck Regulator Applications A K P-Channel HEXFET3 6RDS(on) = 112mS D Low VF Schottky Rectifier45G D SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.51VTop ViewDescriptionThe FETKYTM family of Co-packaged HEXFETs andSchottky
irf5803.pdf

PD-94015IRF5803HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance)VDSS RDS(on) max (m) ID))) P-Channel MOSFET-40V 112@VGS = -10V -3.4A Surface Mount 190@VGS = -4.5V -2.7A Available in Tape & Reel Low Gate ChargeDescriptionThese P-channel HEXFET Power MOSFETs from A1 6D DInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve t
irf5803pbf.pdf

IRF5803PbF HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET VDSS RDS(on) (max) ID Surface Mount 112m@ VGS = -10V -3.4A Available in Tape & Reel - 40V Low Gate Charge 190m@ VGS = -4.5V -2.7A Lead-Free Halogen-Free A1 6D DDescription These P-channel HEXFET Power MOSFETs from International 25DDR
Другие MOSFET... IRF540NSPBF , IRF540S , IRF540SPBF , IRF540ZLPBF , IRF540ZPBF , IRF540ZSPBF , IRF5800 , IRF5801PBF-1 , CS150N03A8 , IRF5804 , IRF5805PBF , IRF5806PBF , IRF5EA1310 , IRF5M3205 , IRF5M3415 , IRF5M3710 , IRF5M4905 .
History: AOD6N50 | 2SK2101-01MR | BSC123N08NS3G | CEP84A4 | RHP030N03T100 | AM5931P | IRFP9133
History: AOD6N50 | 2SK2101-01MR | BSC123N08NS3G | CEP84A4 | RHP030N03T100 | AM5931P | IRFP9133



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381