Справочник MOSFET. IRF5803D2PBF

 

IRF5803D2PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF5803D2PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   trⓘ - Время нарастания: 550 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.112 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для IRF5803D2PBF

 

 

IRF5803D2PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  international rectifier
 irf5803d2pbf.pdf

IRF5803D2PBF IRF5803D2PBF

PD- 95160AIRF5803D2PbFTMFETKY MOSFET & Schottky Diodel Co-packaged HEXFET PowerMOSFET and Schottky Diode1 8A Kl Ideal For Buck Regulator ApplicationsVDSS = -40V2 7A Kl P-Channel HEXFETl Low VF Schottky Rectifier3 6RDS(on) = 112mS Dl SO-8 Footprint45G Dl Lead-Free Schottky Vf = 0.51VTop ViewDescriptionThe FETKYTM family of Co-packaged HEXF

 5.1. Size:127K  international rectifier
 irf5803d2.pdf

IRF5803D2PBF IRF5803D2PBF

PD- 94016IRF5803D2TMFETKY MOSFET & Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power1 8A KMOSFET and Schottky DiodeVDSS = -40V2 7 Ideal For Buck Regulator Applications A K P-Channel HEXFET3 6RDS(on) = 112mS D Low VF Schottky Rectifier45G D SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.51VTop ViewDescriptionThe FETKYTM family of Co-packaged HEXFETs andSchottky

 7.1. Size:109K  international rectifier
 irf5803.pdf

IRF5803D2PBF IRF5803D2PBF

PD-94015IRF5803HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance)VDSS RDS(on) max (m) ID))) P-Channel MOSFET-40V 112@VGS = -10V -3.4A Surface Mount 190@VGS = -4.5V -2.7A Available in Tape & Reel Low Gate ChargeDescriptionThese P-channel HEXFET Power MOSFETs from A1 6D DInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve t

 7.2. Size:296K  infineon
 irf5803pbf.pdf

IRF5803D2PBF IRF5803D2PBF

IRF5803PbF HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET VDSS RDS(on) (max) ID Surface Mount 112m@ VGS = -10V -3.4A Available in Tape & Reel - 40V Low Gate Charge 190m@ VGS = -4.5V -2.7A Lead-Free Halogen-Free A1 6D DDescription These P-channel HEXFET Power MOSFETs from International 25DDR

 7.3. Size:1845K  cn vbsemi
 irf5803trpbf.pdf

IRF5803D2PBF IRF5803D2PBF

IRF5803TRPBFwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET- 30 5.1 nC0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop V iew1 6(3) G3 mm523 4(1, 2, 5, 6) D2.85 mm

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top