IRF5803D2PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF5803D2PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 550 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.112 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для IRF5803D2PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF5803D2PBF даташит

 ..1. Size:143K  international rectifier
 irf5803d2pbf.pdf pdf_icon

IRF5803D2PBF

PD- 95160A IRF5803D2PbF TM FETKY MOSFET & Schottky Diode l Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode 1 8 A K l Ideal For Buck Regulator Applications VDSS = -40V 2 7 A K l P-Channel HEXFET l Low VF Schottky Rectifier 3 6 RDS(on) = 112m S D l SO-8 Footprint 4 5 G D l Lead-Free Schottky Vf = 0.51V Top View Description The FETKYTM family of Co-packaged HEXF

 5.1. Size:127K  international rectifier
 irf5803d2.pdf pdf_icon

IRF5803D2PBF

PD- 94016 IRF5803D2 TM FETKY MOSFET & Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power 1 8 A K MOSFET and Schottky Diode VDSS = -40V 2 7 Ideal For Buck Regulator Applications A K P-Channel HEXFET 3 6 RDS(on) = 112m S D Low VF Schottky Rectifier 4 5 G D SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.51V Top View Description The FETKYTM family of Co-packaged HEXFETs and Schottky

 7.1. Size:109K  international rectifier
 irf5803.pdf pdf_icon

IRF5803D2PBF

PD-94015 IRF5803 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance ) VDSS RDS(on) max (m ) ID ) ) ) P-Channel MOSFET -40V 112@VGS = -10V -3.4A Surface Mount 190@VGS = -4.5V -2.7A Available in Tape & Reel Low Gate Charge Description These P-channel HEXFET Power MOSFETs from A 1 6 D D International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve t

 7.2. Size:296K  infineon
 irf5803pbf.pdf pdf_icon

IRF5803D2PBF

IRF5803PbF HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET VDSS RDS(on) (max) ID Surface Mount 112m @ VGS = -10V -3.4A Available in Tape & Reel - 40V Low Gate Charge 190m @ VGS = -4.5V -2.7A Lead-Free Halogen-Free A 1 6 D D Description These P-channel HEXFET Power MOSFETs from International 2 5 D D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF540NSPBF, IRF540S, IRF540SPBF, IRF540ZLPBF, IRF540ZPBF, IRF540ZSPBF, IRF5800, IRF5801PBF-1, IRF520, IRF5804, IRF5805PBF, IRF5806PBF, IRF5EA1310, IRF5M3205, IRF5M3415, IRF5M3710, IRF5M4905