IRF5EA1310 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF5EA1310

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 176 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 471 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm

Encapsulados: LCC-28

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IRF5EA1310 datasheet

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IRF5EA1310

PD-93977 HEXFET POWER MOSFET IRF5EA1310 SURFACE MOUNT (LCC-28) 100V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5EA1310 100V 0.036 23A Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from LCC-28 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features fast

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