IRF5EA1310 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF5EA1310
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 110 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 176 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 471 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: LCC-28

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IRF5EA1310 Datasheet (PDF)

..1. Size:174K international rectifier
irf5ea1310.pdf

PD-93977HEXFET POWER MOSFET IRF5EA1310SURFACE MOUNT (LCC-28) 100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF5EA1310 100V 0.036 23AFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromLCC-28International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with theFeatures:fast

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History: SIHFD014 | PS04P30SA

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: