Справочник MOSFET. IRF5EA1310

 

IRF5EA1310 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF5EA1310
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 176 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 471 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: LCC-28
 

 Аналог (замена) для IRF5EA1310

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF5EA1310 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  international rectifier
 irf5ea1310.pdf pdf_icon

IRF5EA1310

PD-93977HEXFET POWER MOSFET IRF5EA1310SURFACE MOUNT (LCC-28) 100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF5EA1310 100V 0.036 23AFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromLCC-28International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with theFeatures:fast

Другие MOSFET... IRF540ZPBF , IRF540ZSPBF , IRF5800 , IRF5801PBF-1 , IRF5803D2PBF , IRF5804 , IRF5805PBF , IRF5806PBF , IRF830 , IRF5M3205 , IRF5M3415 , IRF5M3710 , IRF5M4905 , IRF5M5210 , IRF5N3205 , IRF5N3415 , IRF5N3710 .

History: IXFR80N15Q | PH7030L | QM2608N8 | HGP082N10M | SVS65R280SD4TR | HGT041N15S | SVS7N65DTR

 

 
Back to Top

 


 
.