IRF5EA1310. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF5EA1310

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 176 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 471 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: LCC-28

Аналог (замена) для IRF5EA1310

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF5EA1310 даташит

 ..1. Size:174K  international rectifier
 irf5ea1310.pdf pdf_icon

IRF5EA1310

PD-93977 HEXFET POWER MOSFET IRF5EA1310 SURFACE MOUNT (LCC-28) 100V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5EA1310 100V 0.036 23A Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from LCC-28 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features fast

Другие IGBT... IRF540ZPBF, IRF540ZSPBF, IRF5800, IRF5801PBF-1, IRF5803D2PBF, IRF5804, IRF5805PBF, IRF5806PBF, 2N60, IRF5M3205, IRF5M3415, IRF5M3710, IRF5M4905, IRF5M5210, IRF5N3205, IRF5N3415, IRF5N3710