FQP6P25 Todos los transistores

 

FQP6P25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQP6P25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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FQP6P25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  fairchild semi
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FQP6P25

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP6P25250V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -6.0A, -250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 21 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been

Otros transistores... IRF6201PBF , IRF620B , IRF620PBF , IRF620SPBF , IRF6215LPBF , IRF6215PBF , IRF6215SPBF , FQP6N90 , AON6414A , FQP70N08 , FQP7N10 , FQP7N10L , FQP7N20 , FQP7N20L , FQP7N40 , FQP7N60 , FQP7N65C .

History: SFS12R08GNF | PHP36N03LT | PHB23NQ10LT | QM3006M3 | PMXB56EN | 75N75L-TQ2-R | IPB100N04S4-H2

 

 
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