Справочник MOSFET. FQP6P25

 

FQP6P25 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQP6P25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для FQP6P25

 

 

FQP6P25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  fairchild semi
 fqp6p25.pdf

FQP6P25 FQP6P25

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP6P25250V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -6.0A, -250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 21 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top