FQP6P25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQP6P25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FQP6P25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP6P25 даташит

 ..1. Size:507K  fairchild semi
 fqp6p25.pdf pdf_icon

FQP6P25

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQP6P25 250V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -6.0A, -250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 21 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF) This advanced technology has been

Другие IGBT... IRF6201PBF, IRF620B, IRF620PBF, IRF620SPBF, IRF6215LPBF, IRF6215PBF, IRF6215SPBF, FQP6N90, IRFB4227, FQP70N08, FQP7N10, FQP7N10L, FQP7N20, FQP7N20L, FQP7N40, FQP7N60, FQP7N65C