Справочник MOSFET. FQP6P25

 

FQP6P25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQP6P25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FQP6P25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP6P25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  fairchild semi
 fqp6p25.pdf pdf_icon

FQP6P25

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP6P25250V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -6.0A, -250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 21 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been

Другие MOSFET... IRF6201PBF , IRF620B , IRF620PBF , IRF620SPBF , IRF6215LPBF , IRF6215PBF , IRF6215SPBF , FQP6N90 , AON6414A , FQP70N08 , FQP7N10 , FQP7N10L , FQP7N20 , FQP7N20L , FQP7N40 , FQP7N60 , FQP7N65C .

History: HGS059N08AL | PTF10HN08 | CEM73A3G | BSC16DN25NS3G | US5U29TR | C2M1000170D | HY18N20T

 

 
Back to Top

 


 
.