FQP90N10V2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQP90N10V2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 492 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQP90N10V2

FQP90N10V2 Datasheet (PDF)

..1. Size:919K fairchild semi
fqp90n10v2 fqpf90n10v2.pdf

QFETFQP90N10V2/FQPF90N10V2100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 90 A, 100V, RDS(on) = 0.01 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 147 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 300 pF)This advanced technology has been especially tail

8.1. Size:665K fairchild semi
fqp90n08.pdf

January 2001TMQFETQFETQFETQFETFQP90N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 71A, 80V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 200 pF)This advanced technology has been

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: