FQP90N10V2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQP90N10V2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 492 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO-220

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FQP90N10V2 datasheet

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FQP90N10V2

QFET FQP90N10V2/FQPF90N10V2 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 90 A, 100V, RDS(on) = 0.01 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 147 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 300 pF) This advanced technology has been especially tail

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FQP90N10V2

January 2001 TM QFET QFET QFET QFET FQP90N08 80V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 71A, 80V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 200 pF) This advanced technology has been

Otros transistores... FQP7N10L, FQP7N20, FQP7N20L, FQP7N40, FQP7N60, FQP7N65C, FQP7N80, FQP7P20, IRF9540, FQP9N08, FQP9N08L, FQP9N15, FQP9N25C, FQP9N50, FQPF10N20, FQPF10N60CF, FQPF10N60CT