FQP90N10V2 Todos los transistores

 

FQP90N10V2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQP90N10V2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 492 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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FQP90N10V2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:919K  fairchild semi
 fqp90n10v2 fqpf90n10v2.pdf pdf_icon

FQP90N10V2

QFETFQP90N10V2/FQPF90N10V2100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 90 A, 100V, RDS(on) = 0.01 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 147 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 300 pF)This advanced technology has been especially tail

 8.1. Size:665K  fairchild semi
 fqp90n08.pdf pdf_icon

FQP90N10V2

January 2001TMQFETQFETQFETQFETFQP90N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 71A, 80V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 200 pF)This advanced technology has been

Otros transistores... FQP7N10L , FQP7N20 , FQP7N20L , FQP7N40 , FQP7N60 , FQP7N65C , FQP7N80 , FQP7P20 , AO3400 , FQP9N08 , FQP9N08L , FQP9N15 , FQP9N25C , FQP9N50 , FQPF10N20 , FQPF10N60CF , FQPF10N60CT .

History: APT8030B2VR

 

 
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