Справочник MOSFET. FQP90N10V2

 

FQP90N10V2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQP90N10V2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 147 nC
   trⓘ - Время нарастания: 492 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для FQP90N10V2

 

 

FQP90N10V2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:919K  fairchild semi
 fqp90n10v2 fqpf90n10v2.pdf

FQP90N10V2 FQP90N10V2

QFETFQP90N10V2/FQPF90N10V2100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 90 A, 100V, RDS(on) = 0.01 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 147 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 300 pF)This advanced technology has been especially tail

 8.1. Size:665K  fairchild semi
 fqp90n08.pdf

FQP90N10V2 FQP90N10V2

January 2001TMQFETQFETQFETQFETFQP90N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 71A, 80V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 200 pF)This advanced technology has been

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQPF17N40

 

 
Back to Top