FQP90N10V2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQP90N10V2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 90 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 147 nC
Время нарастания (tr): 492 ns
Выходная емкость (Cd): 1180 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для FQP90N10V2
FQP90N10V2 Datasheet (PDF)
fqp90n10v2 fqpf90n10v2.pdf
QFETFQP90N10V2/FQPF90N10V2100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 90 A, 100V, RDS(on) = 0.01 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 147 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 300 pF)This advanced technology has been especially tail
fqp90n08.pdf
January 2001TMQFETQFETQFETQFETFQP90N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 71A, 80V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 200 pF)This advanced technology has been
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
