FQP90N10V2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FQP90N10V2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 492 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FQP90N10V2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP90N10V2 даташит

 ..1. Size:919K  fairchild semi
 fqp90n10v2 fqpf90n10v2.pdf pdf_icon

FQP90N10V2

QFET FQP90N10V2/FQPF90N10V2 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 90 A, 100V, RDS(on) = 0.01 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 147 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 300 pF) This advanced technology has been especially tail

 8.1. Size:665K  fairchild semi
 fqp90n08.pdf pdf_icon

FQP90N10V2

January 2001 TM QFET QFET QFET QFET FQP90N08 80V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 71A, 80V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 200 pF) This advanced technology has been

Другие IGBT... FQP7N10L, FQP7N20, FQP7N20L, FQP7N40, FQP7N60, FQP7N65C, FQP7N80, FQP7P20, IRF4905, FQP9N08, FQP9N08L, FQP9N15, FQP9N25C, FQP9N50, FQPF10N20, FQPF10N60CF, FQPF10N60CT