Справочник MOSFET. FQP90N10V2

 

FQP90N10V2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQP90N10V2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 90 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 147 nC

Время нарастания (tr): 492 ns

Выходная емкость (Cd): 1180 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FQP90N10V2

 

 

FQP90N10V2 Datasheet (PDF)

1.1. fqp90n10v2 fqpf90n10v2.pdf Size:919K _fairchild_semi

FQP90N10V2
FQP90N10V2

® QFET FQP90N10V2/FQPF90N10V2 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 90 A, 100V, RDS(on) = 0.01Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 147 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 300 pF) This advanced technology has been especially tail

4.1. fqp90n08.pdf Size:665K _fairchild_semi

FQP90N10V2
FQP90N10V2

January 2001 TM QFET QFET QFET QFET FQP90N08 80V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 71A, 80V, RDS(on) = 0.016Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 84 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 200 pF) This advanced technology has been

 

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top