FQPF9N90CT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQPF9N90CT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQPF9N90CT

FQPF9N90CT Datasheet (PDF)

..1. Size:840K fairchild semi
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TMQFETFQP9N90C/FQPF9N90C900V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 8.0 A, 900V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 45nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 14pF)This advanced technology has been especially tailored to

5.1. Size:842K fairchild semi
fqp9n90c fqpf9n90c.pdf

5.2. Size:1200K onsemi
fqp9n90c fqpf9n90c.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

5.3. Size:232K inchange semiconductor
fqpf9n90c.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FQPF9N90CDESCRIPTIONRDS(on) = 1.4 @VGS = 10 V, ID = 4 AFast Switching Speed100% Avalanche TestedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSGeneral purpose power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)CSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 900 VDS

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: