FQS4410TF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQS4410TF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm

Encapsulados: 8-SOP

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FQS4410TF datasheet

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FQS4410TF

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQS4410 Single N-Channel, Logic Level, Power MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 10A, 30V, RDS(on) = 0.0135 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 21 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 145 pF) This advanced t

Otros transistores... FQPF9N30, FQPF9N50, FQPF9N50CT, FQPF9N50CYDTU, FQPF9N50T, FQPF9N50YDTU, FQPF9N90CT, FQPF9P25YDTU, 5N60, FQT13N06LTF, FQT13N06TF, FQT1N60CTFWS, FQT1N80TFWS, FQT2P25TF, FQT3P20TF, FQT4N20LTF, FQT4N20TF