FQS4410TF Todos los transistores

 

FQS4410TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQS4410TF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: 8-SOP
 

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FQS4410TF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:598K  fairchild semi
 fqs4410tf.pdf pdf_icon

FQS4410TF

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQS4410Single N-Channel, Logic Level, Power MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 10A, 30V, RDS(on) = 0.0135 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 21 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 145 pF)This advanced t

Otros transistores... FQPF9N30 , FQPF9N50 , FQPF9N50CT , FQPF9N50CYDTU , FQPF9N50T , FQPF9N50YDTU , FQPF9N90CT , FQPF9P25YDTU , 13N50 , FQT13N06LTF , FQT13N06TF , FQT1N60CTFWS , FQT1N80TFWS , FQT2P25TF , FQT3P20TF , FQT4N20LTF , FQT4N20TF .

History: BUZ384 | TPA65R160C | NTD32N06L

 

 
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