Справочник MOSFET. FQS4410TF

 

FQS4410TF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQS4410TF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 165 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: 8-SOP
 

 Аналог (замена) для FQS4410TF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQS4410TF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:598K  fairchild semi
 fqs4410tf.pdf pdf_icon

FQS4410TF

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQS4410Single N-Channel, Logic Level, Power MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 10A, 30V, RDS(on) = 0.0135 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 21 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 145 pF)This advanced t

Другие MOSFET... FQPF9N30 , FQPF9N50 , FQPF9N50CT , FQPF9N50CYDTU , FQPF9N50T , FQPF9N50YDTU , FQPF9N90CT , FQPF9P25YDTU , 13N50 , FQT13N06LTF , FQT13N06TF , FQT1N60CTFWS , FQT1N80TFWS , FQT2P25TF , FQT3P20TF , FQT4N20LTF , FQT4N20TF .

History: PJP2NA60 | UPA2770GR | AP18T10GP

 

 
Back to Top

 


 
.