FQS4410TF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQS4410TF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 165 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: 8-SOP

Аналог (замена) для FQS4410TF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQS4410TF даташит

 ..1. Size:598K  fairchild semi
 fqs4410tf.pdf pdf_icon

FQS4410TF

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQS4410 Single N-Channel, Logic Level, Power MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 10A, 30V, RDS(on) = 0.0135 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 21 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 145 pF) This advanced t

Другие IGBT... FQPF9N30, FQPF9N50, FQPF9N50CT, FQPF9N50CYDTU, FQPF9N50T, FQPF9N50YDTU, FQPF9N90CT, FQPF9P25YDTU, 5N60, FQT13N06LTF, FQT13N06TF, FQT1N60CTFWS, FQT1N80TFWS, FQT2P25TF, FQT3P20TF, FQT4N20LTF, FQT4N20TF