FQU30N06LTU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQU30N06LTU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm

Encapsulados: I-PAK

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FQU30N06LTU datasheet

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FQU30N06LTU

January 2009 QFET FQD30N06L / FQU30N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 24A, 60V, RDS(on) = 0.039 @ VGS = 10V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 15 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF) This advanced technology has been es

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FQU30N06LTU

January 2009 QFET FQD30N06L / FQU30N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 24A, 60V, RDS(on) = 0.039 @ VGS = 10V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 15 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF) This advanced technology has been es

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