Справочник MOSFET. FQU30N06LTU

 

FQU30N06LTU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQU30N06LTU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK

 Аналог (замена) для FQU30N06LTU

 

 

FQU30N06LTU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:734K  fairchild semi
 fqd30n06ltf fqd30n06ltm fqu30n06ltu.pdf

FQU30N06LTU FQU30N06LTU

January 2009QFETFQD30N06L / FQU30N06L60V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 24A, 60V, RDS(on) = 0.039 @ VGS = 10Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 15 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF)This advanced technology has been es

 5.1. Size:734K  fairchild semi
 fqd30n06l fqu30n06l.pdf

FQU30N06LTU FQU30N06LTU

January 2009QFETFQD30N06L / FQU30N06L60V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 24A, 60V, RDS(on) = 0.039 @ VGS = 10Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 15 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF)This advanced technology has been es

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top