Справочник MOSFET. FQU30N06LTU

 

FQU30N06LTU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQU30N06LTU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 

 Аналог (замена) для FQU30N06LTU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQU30N06LTU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:734K  fairchild semi
 fqd30n06ltf fqd30n06ltm fqu30n06ltu.pdf pdf_icon

FQU30N06LTU

January 2009QFETFQD30N06L / FQU30N06L60V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 24A, 60V, RDS(on) = 0.039 @ VGS = 10Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 15 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF)This advanced technology has been es

 5.1. Size:734K  fairchild semi
 fqd30n06l fqu30n06l.pdf pdf_icon

FQU30N06LTU

January 2009QFETFQD30N06L / FQU30N06L60V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 24A, 60V, RDS(on) = 0.039 @ VGS = 10Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 15 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF)This advanced technology has been es

Другие MOSFET... FQU20N06TU , FQU2N100TU , FQU2N50BTU , FQU2N60CTU , FQU2N60TU , FQU2N80 , FQU2N80TU , FQU2N90TU , IRFP064N , FQU3N40TU , FQU3N60 , FQU3N60CTU , FQU3N60TU , FQU3P20TU , FQU3P50TU , FQU4N20TU , FQU4N25TU .

History: 2SK3514-01

 

 
Back to Top

 


 
.