FQU30N06LTU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQU30N06LTU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

Аналог (замена) для FQU30N06LTU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQU30N06LTU даташит

 ..1. Size:734K  fairchild semi
 fqd30n06ltf fqd30n06ltm fqu30n06ltu.pdf pdf_icon

FQU30N06LTU

January 2009 QFET FQD30N06L / FQU30N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 24A, 60V, RDS(on) = 0.039 @ VGS = 10V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 15 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF) This advanced technology has been es

 5.1. Size:734K  fairchild semi
 fqd30n06l fqu30n06l.pdf pdf_icon

FQU30N06LTU

January 2009 QFET FQD30N06L / FQU30N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 24A, 60V, RDS(on) = 0.039 @ VGS = 10V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 15 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF) This advanced technology has been es

Другие IGBT... FQU20N06TU, FQU2N100TU, FQU2N50BTU, FQU2N60CTU, FQU2N60TU, FQU2N80, FQU2N80TU, FQU2N90TU, AO4468, FQU3N40TU, FQU3N60, FQU3N60CTU, FQU3N60TU, FQU3P20TU, FQU3P50TU, FQU4N20TU, FQU4N25TU