FQU3P20TU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQU3P20TU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm

Encapsulados: I-PAK

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FQU3P20TU datasheet

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FQU3P20TU

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD3P20 / FQU3P20 200V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -2.4A, -200V, RDS(on) = 2.7 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.5 pF) This advanced technolo

 9.1. Size:761K  fairchild semi
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FQU3P20TU

January 2009 QFET FQD3P50 / FQU3P50 500V P-Channel MOSFET Features General Description -2.1A, -500V, RDS(on) = 4.9 @VGS = -10 V These P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 18 nC) transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low Crss ( typical 9.5 pF) planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been espe

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