FQU3P20TU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQU3P20TU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

Аналог (замена) для FQU3P20TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQU3P20TU даташит

 ..1. Size:547K  fairchild semi
 fqd3p20tf fqd3p20tm fqu3p20tu.pdf pdf_icon

FQU3P20TU

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD3P20 / FQU3P20 200V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -2.4A, -200V, RDS(on) = 2.7 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.5 pF) This advanced technolo

 9.1. Size:761K  fairchild semi
 fqd3p50tf fqd3p50tm fqd3p50 fqu3p50 fqu3p50tu.pdf pdf_icon

FQU3P20TU

January 2009 QFET FQD3P50 / FQU3P50 500V P-Channel MOSFET Features General Description -2.1A, -500V, RDS(on) = 4.9 @VGS = -10 V These P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 18 nC) transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low Crss ( typical 9.5 pF) planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been espe

Другие IGBT... FQU2N80, FQU2N80TU, FQU2N90TU, FQU30N06LTU, FQU3N40TU, FQU3N60, FQU3N60CTU, FQU3N60TU, IRF840, FQU3P50TU, FQU4N20TU, FQU4N25TU, FQU5N40TU, FQU5N50CTU, FQU5N50TU, FQU5N60CTU, FQU5P20TU