Справочник MOSFET. FQU3P20TU

 

FQU3P20TU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQU3P20TU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK

 Аналог (замена) для FQU3P20TU

 

 

FQU3P20TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:547K  fairchild semi
 fqd3p20tf fqd3p20tm fqu3p20tu.pdf

FQU3P20TU FQU3P20TU

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD3P20 / FQU3P20200V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -2.4A, -200V, RDS(on) = 2.7 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.5 pF)This advanced technolo

 9.1. Size:761K  fairchild semi
 fqd3p50tf fqd3p50tm fqd3p50 fqu3p50 fqu3p50tu.pdf

FQU3P20TU FQU3P20TU

January 2009QFETFQD3P50 / FQU3P50500V P-Channel MOSFETFeaturesGeneral Description -2.1A, -500V, RDS(on) = 4.9 @VGS = -10 VThese P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 18 nC)transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low Crss ( typical 9.5 pF)planar stripe, DMOS technology.This advanced technology has been espe

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top