FQU7P06TU Todos los transistores

 

FQU7P06TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQU7P06TU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.451 Ohm
   Paquete / Cubierta: I-PAK
 

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FQU7P06TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:707K  fairchild semi
 fqd7p06tf fqd7p06tm fqd7p06 fqu7p06 fqu7p06tu.pdf pdf_icon

FQU7P06TU

May 2001TMQFETFQD7P06 / FQU7P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -5.4A, -60V, RDS(on) = 0.45 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF)This advanced technology has been especially

 9.1. Size:731K  fairchild semi
 fqd7p20tf fqd7p20tm fqd7p20 fqu7p20 fqu7p20tu.pdf pdf_icon

FQU7P06TU

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD7P20 / FQU7P20200V P-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -5.7A, -200V, RDS(on) = 0.69 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF)This advanced technolo

Otros transistores... FQU5N40TU , FQU5N50CTU , FQU5N50TU , FQU5N60CTU , FQU5P20TU , FQU6N40CTU , FQU6P25TU , FQU7N10LTU , 10N60 , FQU7P20TU , FQU8N25TU , FQU8P10TU , FQU9N25TU , IRF6216PBF , IRF6216PBF-1 , IRF6217PBF , IRF6217PBF-1 .

History: UTT60P03 | S85N042RP | CHM3413KGP | DK64N90F | 2SJ176 | BSC014N04LSI | FDS8874

 

 
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