Справочник MOSFET. FQU7P06TU

 

FQU7P06TU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQU7P06TU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.451 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 

 Аналог (замена) для FQU7P06TU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQU7P06TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:707K  fairchild semi
 fqd7p06tf fqd7p06tm fqd7p06 fqu7p06 fqu7p06tu.pdf pdf_icon

FQU7P06TU

May 2001TMQFETFQD7P06 / FQU7P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -5.4A, -60V, RDS(on) = 0.45 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF)This advanced technology has been especially

 9.1. Size:731K  fairchild semi
 fqd7p20tf fqd7p20tm fqd7p20 fqu7p20 fqu7p20tu.pdf pdf_icon

FQU7P06TU

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD7P20 / FQU7P20200V P-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -5.7A, -200V, RDS(on) = 0.69 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF)This advanced technolo

Другие MOSFET... FQU5N40TU , FQU5N50CTU , FQU5N50TU , FQU5N60CTU , FQU5P20TU , FQU6N40CTU , FQU6P25TU , FQU7N10LTU , 10N60 , FQU7P20TU , FQU8N25TU , FQU8P10TU , FQU9N25TU , IRF6216PBF , IRF6216PBF-1 , IRF6217PBF , IRF6217PBF-1 .

History: IRFP22N60C3PBF | NCE6990 | IXFN44N50

 

 
Back to Top

 


 
.