FQU8N25TU Todos los transistores

 

FQU8N25TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQU8N25TU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: I-PAK
 

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FQU8N25TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  fairchild semi
 fqd8n25tf fqu8n25tu.pdf pdf_icon

FQU8N25TU

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD8N25 / FQU8N25250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 6.2A, 250V, RDS(on) = 0.55 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF)This advanced technology has

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History: BRCS035N08SHBD | BRCS070P03DP

 

 
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